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Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
比较
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB vs INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
总分
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
总分
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
48
左右 -60% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.7
2,034.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
30
读取速度,GB/s
4,295.1
15.5
写入速度,GB/s
2,034.7
9.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
650
2496
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
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Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
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