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Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
比较
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB vs NSITEXE Inc Visenta 16GB
总分
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
总分
NSITEXE Inc Visenta 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
48
58
左右 17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
18
测试中的平均数值
需要考虑的原因
NSITEXE Inc Visenta 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.2
2,034.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
58
读取速度,GB/s
4,295.1
18.0
写入速度,GB/s
2,034.7
8.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
650
2025
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB RAM的比较
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
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