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Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB

Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB

总分
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Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB

Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB

总分
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Micron Technology 16G3200CL22 16GB

Micron Technology 16G3200CL22 16GB

差异 规格 评论

差异

Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB 需要考虑的原因
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    23 left arrow 28
    左右 18% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.2 left arrow 14
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.8 left arrow 7.3
    测试中的平均数值
Micron Technology 16G3200CL22 16GB 需要考虑的原因
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
报告一个错误
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 12800
    左右 2 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    23 left arrow 28
  • 读取速度，GB/s
    15.2 left arrow 14.0
  • 写入速度，GB/s
    9.8 left arrow 7.3
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2454 left arrow 2663

Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB RAM的比较

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