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Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
比较
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
46
左右 50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.2
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.6
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
46
读取速度,GB/s
15.2
14.2
写入速度,GB/s
9.8
13.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2454
2717
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
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