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Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
比较
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
总分
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
34
左右 32% 更低的延时
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.5
15.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.4
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
34
读取速度,GB/s
15.2
20.5
写入速度,GB/s
9.8
16.4
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2454
3616
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
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