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Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
比较
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
总分
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
23
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
15.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
19
读取速度,GB/s
15.2
19.4
写入速度,GB/s
9.8
15.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2454
3397
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
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