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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
比较
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
总分
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
总分
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
31
左右 35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
11.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
31
读取速度,GB/s
19.1
14.8
写入速度,GB/s
13.1
11.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3252
3122
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
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AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
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