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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
比较
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
总分
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
总分
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
96
左右 79% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
11
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
4.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
96
读取速度,GB/s
19.1
11.0
写入速度,GB/s
13.1
4.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3252
1062
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB RAM的比较
Avexir Technologies Corporation DDR3-2800 CL12 8GB 8GB
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
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