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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
比较
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
总分
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
总分
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
27
左右 26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
18.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
14.8
13.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
27
读取速度,GB/s
19.1
18.1
写入速度,GB/s
13.1
14.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3252
3779
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
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