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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB

总分
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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

总分
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Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB

Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB

差异 规格 评论

差异

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB 需要考虑的原因
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    20 left arrow 28
    左右 29% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    19.1 left arrow 17.3
    测试中的平均数值
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
报告一个错误
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.7 left arrow 13.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    20 left arrow 28
  • 读取速度，GB/s
    19.1 left arrow 17.3
  • 写入速度，GB/s
    13.1 left arrow 13.7
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    3252 left arrow 3359

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内存RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
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Kingston 9905622-055.A00G 4GB
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内存RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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内存RAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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