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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
比较
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
总分
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
28
左右 29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
18.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
15.4
13.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
28
读取速度,GB/s
19.1
18.6
写入速度,GB/s
13.1
15.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3252
3550
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
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