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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
比较
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
总分
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
36
左右 44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
15
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.4
13.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
36
读取速度,GB/s
19.1
15.0
写入速度,GB/s
13.1
13.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3252
3098
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R5S34G1601U1S 4GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
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