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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
比较
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
总分
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
33
左右 39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
16.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
12.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
33
读取速度,GB/s
19.1
16.4
写入速度,GB/s
13.1
12.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3252
2949
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
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