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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
比较
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
总分
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
23
左右 13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
11.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
23
读取速度,GB/s
19.1
16.8
写入速度,GB/s
13.1
11.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3252
2851
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB RAM的比较
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
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