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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
比较
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
总分
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
34
左右 41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
34
读取速度,GB/s
19.1
14.8
写入速度,GB/s
13.1
11.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3252
2826
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
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