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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
比较
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
总分
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
34
左右 41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
11.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
34
读取速度,GB/s
19.1
14.9
写入速度,GB/s
13.1
11.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3252
2831
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB RAM的比较
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
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