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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
比较
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
总分
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
28
左右 29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
15.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
9.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
28
读取速度,GB/s
19.1
15.8
写入速度,GB/s
13.1
9.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3252
2510
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
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