RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
比较
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
总分
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
总分
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
79
左右 75% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
14.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
79
读取速度,GB/s
19.1
14.1
写入速度,GB/s
13.1
7.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3252
1651
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB RAM的比较
Avexir Technologies Corporation DDR3-2800 CL12 8GB 8GB
Corsair CMY8GX3M2B2133C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link