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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
比较
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
总分
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
总分
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
28
左右 29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
14.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
28
读取速度,GB/s
19.1
14.1
写入速度,GB/s
13.1
10.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3252
2931
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
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SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
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