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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
比较
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
总分
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
总分
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
91
左右 78% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
4.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
91
读取速度,GB/s
19.1
6.1
写入速度,GB/s
13.1
4.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3252
1214
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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