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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
比较
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
总分
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
37
左右 46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
12.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
37
读取速度,GB/s
19.1
15.4
写入速度,GB/s
13.1
12.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3252
2356
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Kingston 9905700-013.A00G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
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