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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
比较
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
总分
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
76
左右 74% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
76
读取速度,GB/s
19.1
15.1
写入速度,GB/s
13.1
7.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3252
1859
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calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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