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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
比较
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
总分
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
总分
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
33
左右 39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
11.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
33
读取速度,GB/s
19.1
15.3
写入速度,GB/s
13.1
11.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3252
2697
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
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