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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
比较
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
总分
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
总分
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
30
左右 33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
16.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
14.2
13.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
30
读取速度,GB/s
19.1
16.5
写入速度,GB/s
13.1
14.2
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
3252
3506
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
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