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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
比较
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
总分
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
总分
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
28
左右 29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
28
读取速度,GB/s
19.1
14.0
写入速度,GB/s
13.1
7.3
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
3252
2663
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
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A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
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