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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
比较
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
总分
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
23
左右 13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
17.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
23
读取速度,GB/s
19.1
17.2
写入速度,GB/s
13.1
13.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3252
2989
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
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