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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
比较
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
总分
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
34
左右 41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
16.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
34
读取速度,GB/s
19.1
16.2
写入速度,GB/s
13.1
13.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3252
3020
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
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