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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
比较
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
总分
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
总分
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
41
左右 51% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
10.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
41
读取速度,GB/s
19.1
12.7
写入速度,GB/s
13.1
10.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3252
2621
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB RAM的比较
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PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
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Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
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