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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
比较
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
总分
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
总分
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
55
左右 64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
7.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
55
读取速度,GB/s
19.1
9.3
写入速度,GB/s
13.1
7.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3252
2078
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB RAM的比较
Avexir Technologies Corporation DDR3-2800 CL12 8GB 8GB
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Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 9905428-401.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
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