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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
比较
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
总分
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
29
左右 31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
29
读取速度,GB/s
19.1
16.1
写入速度,GB/s
13.1
11.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3252
3098
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
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Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
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