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Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
比较
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
总分
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
总分
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
9.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
30
左右 -7% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
28
读取速度,GB/s
17.6
13.2
写入速度,GB/s
13.3
9.1
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3429
1989
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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