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Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
比较
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
总分
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
总分
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
49
左右 51% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.4
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
24
49
读取速度,GB/s
13.4
10.9
写入速度,GB/s
12.4
8.3
内存带宽,mbps
19200
19200
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3436
2413
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
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G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
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