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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
34
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
30
读取速度,GB/s
16.0
17.4
写入速度,GB/s
10.3
14.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
3527
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
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