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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
10.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
34
左右 -6% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
32
读取速度,GB/s
16.0
15.4
写入速度,GB/s
10.3
10.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
2815
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
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