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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
差异
规格
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差异
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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
34
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
28
读取速度,GB/s
16.0
18.1
写入速度,GB/s
10.3
15.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
3706
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
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