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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
34
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
28
读取速度,GB/s
16.0
17.6
写入速度,GB/s
10.3
15.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
3705
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB RAM的比较
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Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
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Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
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