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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
差异
规格
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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
34
左右 -31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.5
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
26
读取速度,GB/s
16.0
20.5
写入速度,GB/s
10.3
16.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
3687
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K531R8-MIN 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
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