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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
34
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
27
读取速度,GB/s
16.0
18.1
写入速度,GB/s
10.3
14.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
3446
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
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