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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.3
10.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
34
左右 -55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
16
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
22
读取速度,GB/s
16.0
16.2
写入速度,GB/s
10.3
10.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
2706
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
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