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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
34
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.6
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
32
读取速度,GB/s
16.0
17.1
写入速度,GB/s
10.3
16.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
3742
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
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Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
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