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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
34
左右 -42% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
24
读取速度,GB/s
16.0
13.9
写入速度,GB/s
10.3
6.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
2113
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
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