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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
5.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
34
左右 -31% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
26
读取速度,GB/s
16.0
11.8
写入速度,GB/s
10.3
5.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
1884
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
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