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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Kingston 9965669-027.A00G 16GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
44
左右 23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
12.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
9.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
44
读取速度,GB/s
16.0
12.5
写入速度,GB/s
10.3
9.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
2452
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
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