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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
38
左右 11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
10.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
38
读取速度,GB/s
16.0
13.3
写入速度,GB/s
10.3
10.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
2431
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
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