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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
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需要考虑的原因
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
34
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
32
读取速度,GB/s
16.0
16.2
写入速度,GB/s
10.3
12.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
3084
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PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
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