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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
9.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
34
左右 -21% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
28
读取速度,GB/s
16.0
12.0
写入速度,GB/s
10.3
9.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
2347
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
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