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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

总分
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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

总分
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Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

差异 规格 评论

差异

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB 需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    16 left arrow 15.4
    测试中的平均数值
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB 需要考虑的原因
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
报告一个错误
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.5 left arrow 10.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    34 left arrow 34
  • 读取速度，GB/s
    16.0 left arrow 15.4
  • 写入速度，GB/s
    10.3 left arrow 11.5
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2782 left arrow 2763

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB RAM的比较

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Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
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内存RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
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内存RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
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内存RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
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内存RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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