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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
52
左右 35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
10.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
52
读取速度,GB/s
16.0
10.3
写入速度,GB/s
10.3
8.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
2390
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
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