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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
34
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
29
读取速度,GB/s
16.0
17.8
写入速度,GB/s
10.3
14.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
3434
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
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