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Corsair CMD16GX3M2A2133C9 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A2133C9 8GB vs Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A2133C9 8GB
总分
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A2133C9 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
35
左右 -25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
15.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
10.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A2133C9 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
28
读取速度,GB/s
15.9
17.9
写入速度,GB/s
10.7
14.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2907
3502
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
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Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
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